EasyGaN entre en phase de tests industriels

La spin-off du CRHEA, basée à Sophia Antipolis, sort du laboratoire pour entrer en phase de tests industriels grâce à la fabrication d’un premier substrat dit template de Nitrure d’Aluminium sur Silicium adapté au parc de production des composants électroniques. Une étape clé pour la jeune pousse technologique, la filière GaN-sur-Silicium et plus largement le développement des écotechnologies.
(Crédits : DR)

EasyGaN va-t-elle tenir ses promesses ? L'annonce, à l'été, du développement des premiers prototypes de template (ou substrat) de Nitrure d'Aluminium (AIN) sur Silicium de 200 mm de diamètre, un format adapté au parc de production actuel des fabricants de composants électroniques, plaide en ce sens. "La phase de tests commence auprès d'un centre de recherche et d'un industriel français dans le cadre du projet européen Nano 2022", indique André Bonnardot, directeur général de la jeune pousse.

L'électronique de puissance dans le viseur

Fondée en 2017 par trois chercheurs, Sylvain Sergent, Fabrice Semond et Nicolas Baron, basée au sein du CRHEA (Centre de Recherche sur l'Hétéro-Epitaxie et ses Applications) dont elle est une des deux spin-off, EasyGaN s'intéresse au matériau GaN (Nitrure de Gallium). Un semiconducteur à large bande utilisé par l'industrie du LED, qu'elle souhaite démocratiser auprès de la filière électronique, notamment de puissance, et ses besoins en matière de conversion d'énergie (chargeurs embarqués pour véhicules hybrides et électriques, alimentation de serveurs et chargeurs sans fil...).

Le matériau GaN présente en effet des propriétés "nettement supérieures aux semiconducteurs classiques, en termes de performance, de miniaturisation, de fiabilité et d'efficacité énergétique", détaille le dirigeant. Le hic, c'est que si le GaN se "marie" très bien avec un substrat de Saphir - utilisé pour les LEDs - il s'avère beaucoup plus complexe à déposer sur du silicium, indispensable pourtant si l'on veut adresser l'industrie électronique sans faire exploser les coûts. C'est là que se positionne EasyGaN grâce à un procédé de fabrication (l'Epitaxie par Jets Moléculaires ou JEM) de substrats clé-en-main censés lever les verrous en permettant la fabrication de dispositifs GaN-sur-Silicium et l'augmentation des performances du composant final. Des substrats, validés en laboratoire, et donc aujourd'hui testés.

Grimper dans la chaîne de valeur

Lauréate du concours i-Lab 2019, la jeune pousse a pu embaucher une jeune docteure issue du CNRS et financer une partie de ses recherches grâce à la dotation associée. Toutefois, "pour soutenir notre road-map R&D et préparer l'industrialisation de nos solutions, nous aurons besoin de fonds", relève le dirigeant. Car, EasyGaN, membre du GaNeXT, réseau de laboratoires et d'industriels français travaillant sur le GaN, veut aller plus loin dans la chaîne de valeur. "Nous ne souhaitons pas rester cantonner à la brique initiale mais développer nos propres plaquettes GaN-sur-Silicium". Et ce pour un marché bien précis, celui des composants dédiés à l'hyperfréquence pour la 5G et plus. Développé en collaboration avec le CRHEA, le projet de R&D a été lancé au début de l'année 2020 et devrait aboutir à des premiers prototypes en 2021. D'où ce besoin en financement estimé à 2M€ et espéré pour le premier semestre prochain, même si, admet André Bonnardot, "dans le paysage de l'investissement, peu d'acteurs se penchent sur le secteur de la microélectronique. A nous de montrer que l'on est un cas atypique et qu'on tient-là quelque chose de vraiment intéressant pour le futur".

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